Чем отличается симистор от тринистора?

Симистор и тринистор относятся к управляемым полупроводниковым приборам многослойной структуры — тиристорам.

Тринистор имеет четырехслойную структуру p-n-p-n с тремя экектронно-дырочными переходами. Вывод от крайней дырочной области (p) является анодом, а от крайней электтронной области (n)— катодом.

Одна из промежуточных областей структуры также имеет вывод, на который подается управляющее напряжение. При наличии переменного напряжения между анодом и катодом управляющее напряжение позволяет изменять длительность импульсов тока, проходящих через тринистор, когда последний открыт. Импульсы тока через тринистор однополярны и проходят в направлении от анода к катоду.

Симистор — это симметричных тиристор. Он имеет пятислойную структуру (обычно n-p-n-p-n) и четыре электронно-дырочных перехода. Поскольку обе крайние области структуры обладают проводимостью одного типа (n), то при наличии соответствующих напряжений на электродах симистора импульсы тока могут проходить через него в обоих направлениях. Длительность этих импульсов можно регулировать, изменяя фазовый сдвиг между двухполярным напряжением на управляющем электроде и питающим напряжением.