Список сокращений и условных обозначений

— - вывод отсутствует

А - анод

а - соединено с анодом

В - база

bd - варикап

btd - динистор

byd - быстрый выпрямительный диод с «мягким» восстановлением

byg - быстрый высоковольный выпрямительный диод с «мягким» восстановлением

byh - выпрямительный диод общего применени

byv - высоковольтный выпрямительный диод

С - коллектор

C_2V - емкость при напряжении на варикапе, 2В

C_2V/C_30V - отношение емкостей для различных напряжений

C_D - емкость диода

Com - общий

cpin - переключательный p-i-n диод

C_T - суммарная емкость

d - диод (сборка)

D - сток

di - импульсный диод

dih - импульсный диод с большим рабочим током

dl - диод общего применения с малым током утечки

d-n-p-n - составной n-p-n транзистор

D-n-p-n - "цифровой" n-p-n-транзистор, т.е. в корпусе помимо самого транзистора находятся один или несколько резисторов. Традиционные способы проверки неисправности могут не подойти. См. как проверить цифровой транзистор.

d-p-n-p - составной p-n-p транзистор

D-p-n-p - "цифровой" p-n-p транзистор

dtv - диод для переключения диапазонов телевизионного приемника

dz - стабилитрон

E - эмиттер

fd - быстродействующий диод

fid - быстродействующий импульсный диод

frd - быстро восстанавливающийся выпрямительный диод

f_T - граничная частота

G - затвор/управляющий электрод

g_F - прямая проводимость полевого транзистора

h₂₁ - статический коэффициент передачи тока

In - вход

I_c - ток коллектора

I_CBO - обратный ток перехода коллектор-база

I_d - ток стока

l_DSS - ток стока при нулевом пудом потенциале на затворе

I_F - прямой ток

I_leak - ток утечки

I_pp - пиковый импульсный ток разряда

I_R - обратный ток

I_T - средний ток в состоянии включения

I_z - ток стабилизации

I_zm - максимальный ток стабилизации

I_zt - ток стабилизации в контрольной точке

К - катод

к - соединено с катодом

L_t - суммарная индуктивность

nc - не подключен

n-FET - n-канальньй полевой транзистор с управляющим р-n переходом

n-MOS - n-канальный МОП-транзистор

n-p-n - n-p-n транзистор

Out - выход

О - однопереходный транзистор

Pd - несимметричный динистор для защиты оборудования связи

Pd - рассеиваемая мощность

p-FET - р-канапьный полевой транзистор с управляющим p-n переходом

pin - p-i-n диод

p-MOS - р-канальный МОП-транзистор

p-n-p - p-n-p транзистор

pz - защитный стабилитрон

R_DSon - сопротивление канала в открытом состоянии

ref - источник опорного напряжения

reg+ - стабилизатор положительного напряжения

reg- - стабилизатор отрицательного напряжения

R_z - динамическое сопротивление

S - исток

sd - импульсный переключающий диод

shd - диод Шоттки

shy - выпрямительный диод Шоттки

spd - симметричный динистор для защиты оборудования связи

spz - симметричный защитный стабилитрон

T_cvz - температурный коэффициент напряжения стабилизации

T_off - время выключения

t_RR - время обратного восстановления

var - варикап

V_BR - напряжение пробоя

V_C - напряжение фиксации (коллектора)

V_CBO - постоянное напряжение коллектор-база

V_CEO - постоянное напряжение коллектор-эмиттер

V_CEsat - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

vd - монитор напряжения (детектор напряжения)

V_DS - напряжение сток-исток

V_F - прямое напряжение

V_GS - напряжение затвор-исток

V_GSS - напряжение пробоя затвор-исток

V_R - обратное напряжение

vs - подавитель выбросов напряжения (супрессор)

V_WM - напряжение выключения

V_Z - напряжение стабилизации

x - неопределенное, безразличное состояние

Z_Z - дифференциальное сопротивление

Z_ZT - дифференциальное сопротивление в контрольной точке