Защита полупроводниковых приборов от статического напряжения

Всё новое — это хорошо забытое старое.

При конструировании радиоэлектронной аппаратуры, как известно, нередки случаи выхода из строя некоторых полупроводниковых приборов, в частности, полевых транзисторов, еще на стадии монтажа, до первого включения. Это происходит главным образом из-за повреждения приборов зарядами статического электричества, которое накапливается на одежде, мебели и различных предметах рабочего места. Стекая через электроды полупроводникового прибора в процессе работы с ним, заряды могут привести к повреждению р-n «переходов, к пробою изоляции затвора полевого транзистора.

Приводимые рекомендации относятся в основном к полевым транзисторам и интегральным микросхемам на МОП-структурах.

Статья адресована радиолюбителям средней квалификации, однако она может оказаться полезной и для специалистов.

Пример исполнения импульсного блока питания на микросхеме PWR-9MP3

Пример исполнения импульсного БП с контроллером на основе интегральной микросхемы PWR-9MP3 (фирмы Power Integration) со встроенным мощным КМОП-транзистором приведен на рис. 1.