IGBT транзисторы GT для фотовспышек

Компактные IGBT транзисторы для вспышек производства Toshiba

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) могут коммутировать большие токи. Требует меньшего количества компонентов для схемы вспышки (по сравнению со схемами с управлением на тиристорах). Могут работать с напряжением управления от 2.5 до 4.0 Вольт, что позволяет их использовать в компактных фотокамерах с общим напряжением питания 3.3 - 5 Вольт.

Компания Toshiba выпускает компактные IGBT отличающие низким напряжением управления, которые широко используются во встроенных фотовспышках компактных цифровых фотоаппаратах и зеркальных фотокамерах.

В некоторых типах транзисторов может быть включен стабилитрон между затвором и эмиттером для того чтобы обеспечить защиту от статического напряжения (ESD).

Типовая схема фотовспышки фотоаппарата с общим напряжением питания 3.3 Вольта

Типовая схема вспышки фотоаппарата с общим напряжением питания 3.3 Вольта с транзистором gt8g134
Рис.2 Типовая схема фотовспышки фотоаппарата с общим напряжением питания 3.3 Вольта, где в качестве регулирующего элемента энергией импульса лампы вспышки используется биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) типа GT8G134 производства Toshiba.

Характеристики транзисторов GT с общим напряжением питания схемы 3.3 Вольта

Part number Vces/Ic Gate Drive
Voltage Min (V)
VCE(sat) (V) PC (W)
Ta = 25˚C
Package Board Connection
Typ. VGE / Ic
GT5G133 400V / 130A 2.5 3.0 2.5V / 130A 0.83 TSON-8 1
GT8G136 400V / 150A 3 3.5 3V / 150A 1.1 TSSOP-8 2
GT8G134 400V / 150A 2.5 3.4 2.5V / 150A 1.1 TSSOP-8 2

Характеристики транзисторов GT с общим напряжением питания схемы 5 Вольт

Part number Vces/Ic Gate Drive
Voltage Min (V)
VCE(sat) (V) PC (W)
Ta = 25˚C
Package Board Connection
Typ. VGE / Ic
GT8G132 400V / 150A 4 2.3 4V / 130A 1.1 SOP-8 1
GT8G133 400V / 150A 4 2.9 4V / 150A 1.1 TSSOP-8 1
GT10G131 400V / 200A 4 2.3 4V / 200A 1.9 SOP-8 1

Назначение выводов цоколевка

Цоколевка. Назначение выводов транзисторов для фото вспышек

Цоколевка. Назначение выводов транзисторов для фото вспышек



Краткие характеристики IGBT транзисторы для вспышек производства Toshiba снятых с производства

Part number Absolute Maximum Ratings Package
Vces (V) IC (A) DC
GT5G101 400 130 (pulsed) NPM
GT5G102 400 130 (pulsed) DP
GT5G103 400 130 (pulsed) DP
GT8G101 400 130 (pulsed) NPM
GT8G102 400 150 (pulsed) NPM
GT8G103 400 150 (pulsed) DP
GT8G121 400 150 (pulsed) DP
GT10G101 400 130 (pulsed) TO-220NIS
GT10G102 400 130 (pulsed) TO-220NIS
GT15G101 400 170 (pulsed) TO-220NIS
GT20G101 400 130 (pulsed) TO-220FL
GT20G102 400 130 (pulsed) TO-220FL
GT25G101 400 170 (pulsed) TO-220FL
GT25G102 400 150 (pulsed) TO-220FL
GT50G101 400 100 (pulsed) TO-3P(N)
GT50G102 400 100 (pulsed) TO-3P(N)
GT75G101 400 170 (pulsed) TO-3P(N)

Расшифровка маркировки тарнзисторов GT для фотовспышек

Расшифровка маркировки IGBT тарнзисторов

1) Discrete IGBT.
2) Collector current rating (DC).
3) Voltage rating (см. таблицу ниже).
4) 1: N-channel; 2: P-channel; 3: N-channel with built-in freewheeling diode.
5) Serial number.
6) Version.

Letter Voltage (V) Letter Voltage (V) Letter Voltage (V)
C 150 J 600 Q 1200
D 200 K 700 R 1300
E 250 L 800 S 1400
F 300 M 900 T 1500
G 400 N 1000 U 1600
H 500 P 1100 V 1700


См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

Каталог отечественных транзисторов и микросхем