IGBT транзисторы GT для фотовспышек

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) могут коммутировать большие токи. Требует меньшего количества компонентов для схемы вспышки (по сравнению со схемами с управлением на тиристорах). Могут работать с напряжением управления от 2.5 до 4.0 Вольт, что позволяет их использовать в компактных фотокамерах с общим напряжением питания 3.3 - 5 Вольт.

Компания Toshiba выпускает компактные IGBT отличающие низким напряжением управления, которые широко используются во встроенных фотовспышках компактных цифровых фотоаппаратах и зеркальных фотокамерах.

В некоторых типах транзисторов может быть включен стабилитрон между затвором и эмиттером для того чтобы обеспечить защиту от статического напряжения (ESD).

Типовая схема фотовспышки фотоаппарата с общим напряжением питания 3.3 Вольта

Рис.2 Типовая схема фотовспышки фотоаппарата с общим напряжением питания 3.3 Вольта, где в качестве регулирующего элемента энергией импульса лампы вспышки используется биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) типа GT8G134 производства Toshiba.

Характеристики транзисторов GT с общим напряжением питания схемы 3.3 Вольта

Характеристики транзисторов GT с общим напряжением питания схемы 5 Вольт

Назначение выводов цоколевка

Краткие характеристики IGBT транзисторы для вспышек производства Toshiba снятых с производства

Расшифровка маркировки тарнзисторов GT для фотовспышек

1) Discrete IGBT.
2) Collector current rating (DC).
3) Voltage rating (см. таблицу ниже).
4) 1: N-channel; 2: P-channel; 3: N-channel with built-in freewheeling diode.
5) Serial number.
6) Version.

См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

Каталог отечественных транзисторов и микросхем