IGW40T120, IGBT транзистор
Основные характеристики IGW40T120
- Технология/семейство: trench and fieldstop
- Наличие встроенного диода: нет
- Максимальное напряжение КЭ, В: 1200
- Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
- Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
- Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270
- Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48
- Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
- Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
- Корпус: pg-to-247-3
- Структура: n-канал
- Управляющее напряжение, В: 5.8
- Крутизна характеристики, S: 21
- Вес, г: 7.5
Datasheet IGW40T120 - техническая документация
IGBT IGW40T120 - полный datasheet в формате pdf на английском языке:
Транзисторы для фотовспышек самовывозом или заказать с доставкой почтой можно в интернет-магазине in-commerce.ru