IGW40T120, IGBT транзистор

Цоколевка IGBT транзистора IGW40T120

Основные характеристики IGW40T120

  • Технология/семейство: trench and fieldstop
  • Наличие встроенного диода: нет
  • Максимальное напряжение КЭ, В: 1200
  • Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
  • Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
  • Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
  • Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270
  • Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48
  • Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
  • Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
  • Корпус: pg-to-247-3
  • Структура: n-канал
  • Управляющее напряжение, В: 5.8
  • Крутизна характеристики, S: 21
  • Вес, г: 7.5

Datasheet IGW40T120 - техническая документация

IGBT IGW40T120 - полный datasheet в формате pdf на английском языке:


Транзисторы для фотовспышек самовывозом или заказать с доставкой почтой можно в интернет-магазине in-commerce.ru