Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б
Рис.1. Внешний вид и цоколевка транзистора ГТ311Б.
Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты.
Область применения: для усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот и для переключающих устройств.
Технические характеристики биполярного транзистора ГТ311Б
- Материал p-n-перехода: Ge германий
- Структура транзистора: n-p-n
- Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.15 Ватт
- Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 12 Вольт
- Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 12 Вольт
- Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 Вольт
- Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.05 Ампер
- Предельная температура p-n перехода (Tj): 70 C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 300 MHz
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pF
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 30
Зарубежный аналог: 2N2699
См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги
Каталог отечественных транзисторов и микросхем