Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б

Внешний вид и назначение выводов биполярного транзистора ГТ311Б
Рис.1. Внешний вид и цоколевка транзистора ГТ311Б.

Биполярный германиевый транзистор ГТ311Б, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты.
Область применения: для усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот и для переключающих устройств.

Технические характеристики биполярного транзистора ГТ311Б

Материал p-n-перехода: Ge германий
Структура транзистора: n-p-n
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.15 Ватт
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 12 Вольт
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 12 Вольт
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 Вольт
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.05 Ампер
Предельная температура p-n перехода (Tj): 70 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 300 MHz
Емкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 30

Зарубежный аналог: 2N2699
См. Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

Каталог отечественных транзисторов и микросхем