Транзисторы IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G
Рис. 1 Цоколевка транзисторов IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G, внешний вид и типы корпусов.
З — затвор (G — Gate), И — исток (S — Source), С — сток (D — Drain
Краткое описание:
N-канальные МОП транзисторы IPB038N12N3 G с маркировкой на корпусе 038N12N, выпускаются в корпусах типа PG-TO263-3. N-канальные МОП транзисторы IPI041N12N3 G и IPP041N12N3 имеют маркировку на корпусе 041N12N3, выпускаются в корпусах типа PG-TO262-3 и PG-TO220 соответственно.
Основные характеристики транзисторов IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G
МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 120 В, 0.0035 Ом, 10 В, 3 В.
- Структура: N Канал
- Непрерывный ток стока: 120А
- Напряжение истока-стока Vds: 120В
- Сопротивление во включенном состоянии Rds (on): 0.0035 Ом
- Напряжение измерения Rds (on): 10В
- Пороговое напряжение: Vgs 3В
- Рассеиваемая мощность: 300Вт
Datasheet - транзисторы ipb038n12n, ipi041n12n3, ipp041n12n3 в формате pdf