Высоковольтные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания

транзисторы Philips для импульсных блоков питания

В ассортименте фирмы PHILIPS имеется целая гамма высоковольтных транзисторов, предназначенных для использования в импульсных силовых цепях питания телевизоров, видеомагнитовонов, мониторов и другой бытовой аппаратуры. Все они обычно выполнены либо по биполярной технологии, либо по технологии MOSFET - полевой МОП-транзистор с изолированным затвором.

Эти транзисторы в большинстве своем служат в устройствах формирования рабочих напряжений, в том числе для питания оконечных каскадов усилителей мощности звукового сигнала.

Наиболее экономично высоковольтные транзисторы работают в двухтактном преобразователе с прерывающимся тюком дросселя.

Максимальное значение напряжения на коллекторе транзистора в таком преобразователе равно сумме подводимого выпрямленного напряжения питающей сети и напряжения пикового броска. Амплитуда напряженияэтого броска зависит от начальной индуктивности трансформатора преобразователя и от емкости сглаживающего пульсации конденсатора, подключенного в цепи коллектора транзистора. Для используемого напряжения электросети устанавливается минимально необходимое напряжение коллектор-эмиттер, которое только может выдержать транзистор. При увеличении индуктивности трансформатора или при уменьшении емкости конденсатора надежность транзистора по мощности и частоте повышается.

Мощные полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором для блоков питания

Сетевое напряжение 110/220 Вольт требует применения транзисторов с рабочим напряжением не менее 400 Вольт. Таким напряжением обладают мощные транзисторы серии Power MOSFET. При сетевом напряжении 220/240 Вольт рабочее напряжение транзистора должно быть не менее 800 Вольт и только в особых случаях (при ограничении напряжения на коллекторе) допускается применение транзистора той же серии с напряжением около 600 Вольт. Основные параметры указанных транзисторов даны в таблице ниже:

ТранзисторМаксимальное напряжение
сток-исток, В
Максимальное сопротивление
между стоком и истоком
открытого транзистора, Ом
Ток стока, А
BUK454-400B4001,81,5
BUK455-400B4001,02,5
BUK437-400B4000,56,5
BUK454-800A8006,01,0
BUK456-800A8003,01,5
BUK456-800B8002,04,0
BUK438-800A8001,54,0

Биполярные транзисторы для импульсных блоков питания

При напряжении питающей сети 220/240 Вольт в двухтактных преобразователях рекомендуют использовать транзистор, рассчитанный на напряжение 1000 В. Транзисторы, основные характеристики которых приведены в таблице 2, предназначены именно для этих целей. Если начальная индуктивность трансформатора велика и напряжение может превышать 1000 Вольт, лучше использовать транзисторы BU603 и BU903 с напряжением 1350 Вольт.

Таблица 2

ТранзисторМаксимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы ниже или равен потенциалу эмиттера, ВМаксимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы выше потенциала эмиттера, ВТок коллектора, АМинимальный коэффициент усиления потокуМаксимальное напряжение коллектор-эмиттер при насыщении транзистора, В
BUX851000450151,0
BUT11A10004502,551,5
BUT18A1000450451,5
BUT12A1000450551,5
BUW13A1000450851,5
BU6031350550262,0
BU90313505503,262,0



Критерии выбора транзистора для блока питания

Главным критерием выбора служат максимальные значения токов и напряжений, допустимые для выбранного транзистора. При выборе типа транзистора (MOSFET или биполярный) следует руководствоваться простотой его управления, стоимостью и требованием минимальной энергии при работе в наиболее сложных схемах. Следует также обращать внимание и на возможность переключения с малыми потерями на частотах ниже 50 кГц.

Играют роль также размеры прибора. Так, в устройствах питания от сети 110/120В наибольшее распространение получили транзисторы типа MOSFET с напряжением 400 В, в устройствах с напряжением питания 220/240 В преобладают биполярные транзисторы, хотя и здесь транзисторы MOSFET, рассчитанные на напряжение 800 Вольт, не менее популярны.

С помощью данных таблицы 3 можно выбрать транзистор для двухтактного преобразователя источника питания с учетом указанных выше критериев:

Таблица 3

Мощность, Вт110/120220/240
50BUK454-400BBUK454-800B; BUX85
100BUK455-400BBUK456-800A; BUT11A/BU603
120BUK437-400BBUK438-800B; BUT11A
150BUK437-400BBUK438-800B; BUT18A/BU903
200BUK437-400BBUK438-800B; BUT12A/BUW13A


Корпуса и цоколевка мощных транзисторов Philips для блоков питания

Стандартные корпуса и цоколевка транзисторов Philips для импульсных источников питания



Тиристоры, симисторы, динисторы Philips основные характеристики и типы корпусов

Полный datasheet симистора BT134 с возможностью скачать бесплатно даташит в pdf формате или смотреть в онлайн справочнике по электронным компонентам на Времонт.su