Высоковольтные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания
В ассортименте фирмы PHILIPS имеется целая гамма высоковольтных транзисторов, предназначенных для использования в импульсных силовых цепях питания телевизоров, видеомагнитовонов, мониторов и другой бытовой аппаратуры. Все они обычно выполнены либо по биполярной технологии, либо по технологии MOSFET - полевой МОП-транзистор с изолированным затвором.
Эти транзисторы в большинстве своем служат в устройствах формирования рабочих напряжений, в том числе для питания оконечных каскадов усилителей мощности звукового сигнала.
Наиболее экономично высоковольтные транзисторы работают в двухтактном преобразователе с прерывающимся тюком дросселя.
Максимальное значение напряжения на коллекторе транзистора в таком преобразователе равно сумме подводимого выпрямленного напряжения питающей сети и напряжения пикового броска. Амплитуда напряженияэтого броска зависит от начальной индуктивности трансформатора преобразователя и от емкости сглаживающего пульсации конденсатора, подключенного в цепи коллектора транзистора. Для используемого напряжения электросети устанавливается минимально необходимое напряжение коллектор-эмиттер, которое только может выдержать транзистор. При увеличении индуктивности трансформатора или при уменьшении емкости конденсатора надежность транзистора по мощности и частоте повышается.
Мощные полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором для блоков питания
Сетевое напряжение 110/220 Вольт требует применения транзисторов с рабочим напряжением не менее 400 Вольт. Таким напряжением обладают мощные транзисторы серии Power MOSFET. При сетевом напряжении 220/240 Вольт рабочее напряжение транзистора должно быть не менее 800 Вольт и только в особых случаях (при ограничении напряжения на коллекторе) допускается применение транзистора той же серии с напряжением около 600 Вольт. Основные параметры указанных транзисторов даны в таблице ниже:
| Транзистор | Максимальное напряжение сток-исток, В | Максимальное сопротивление между стоком и истоком открытого транзистора, Ом | Ток стока, А |
| BUK454-400B | 400 | 1,8 | 1,5 |
| BUK455-400B | 400 | 1,0 | 2,5 |
| BUK437-400B | 400 | 0,5 | 6,5 |
| BUK454-800A | 800 | 6,0 | 1,0 |
| BUK456-800A | 800 | 3,0 | 1,5 |
| BUK456-800B | 800 | 2,0 | 4,0 |
| BUK438-800A | 800 | 1,5 | 4,0 |
Биполярные транзисторы для импульсных блоков питания
При напряжении питающей сети 220/240 Вольт в двухтактных преобразователях рекомендуют использовать транзистор, рассчитанный на напряжение 1000 В. Транзисторы, основные характеристики которых приведены в таблице 2, предназначены именно для этих целей. Если начальная индуктивность трансформатора велика и напряжение может превышать 1000 Вольт, лучше использовать транзисторы BU603 и BU903 с напряжением 1350 Вольт.
Таблица 2
| Транзистор | Максимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы ниже или равен потенциалу эмиттера, В | Максимальное напряжение коллектора, когда потенциал базы выше потенциала эмиттера, В | Ток коллектора, А | Минимальный коэффициент усиления потоку | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при насыщении транзистора, В |
| BUX85 | 1000 | 450 | 1 | 5 | 1,0 |
| BUT11A | 1000 | 450 | 2,5 | 5 | 1,5 |
| BUT18A | 1000 | 450 | 4 | 5 | 1,5 |
| BUT12A | 1000 | 450 | 5 | 5 | 1,5 |
| BUW13A | 1000 | 450 | 8 | 5 | 1,5 |
| BU603 | 1350 | 550 | 2 | 6 | 2,0 |
| BU903 | 1350 | 550 | 3,2 | 6 | 2,0 |
Критерии выбора транзистора для блока питания
Главным критерием выбора служат максимальные значения токов и напряжений, допустимые для выбранного транзистора. При выборе типа транзистора (MOSFET или биполярный) следует руководствоваться простотой его управления, стоимостью и требованием минимальной энергии при работе в наиболее сложных схемах. Следует также обращать внимание и на возможность переключения с малыми потерями на частотах ниже 50 кГц.
Играют роль также размеры прибора. Так, в устройствах питания от сети 110/120В наибольшее распространение получили транзисторы типа MOSFET с напряжением 400 В, в устройствах с напряжением питания 220/240 В преобладают биполярные транзисторы, хотя и здесь транзисторы MOSFET, рассчитанные на напряжение 800 Вольт, не менее популярны.
С помощью данных таблицы 3 можно выбрать транзистор для двухтактного преобразователя источника питания с учетом указанных выше критериев:
Таблица 3
| Мощность, Вт | 110/120 | 220/240 |
| 50 | BUK454-400B | BUK454-800B; BUX85 |
| 100 | BUK455-400B | BUK456-800A; BUT11A/BU603 |
| 120 | BUK437-400B | BUK438-800B; BUT11A |
| 150 | BUK437-400B | BUK438-800B; BUT18A/BU903 |
| 200 | BUK437-400B | BUK438-800B; BUT12A/BUW13A |
Корпуса и цоколевка мощных транзисторов Philips для блоков питания
Тиристоры, симисторы, динисторы Philips основные характеристики и типы корпусов