Транзистор 2SD1710

Цоколевка транзистора 2sd1710
Рис. 1 Цоколевка транзистора 2sd1710, внешний вид.
1 - база (base); 2 - коллектор (collector); 3 - эмиттер (emitter).

Основные характеристики транзистора 2SD1710

Транзистор 2SD1710, NPN, 800В, 5А ,100Вт.

  • Структура: n-p-n
  • Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектор и разомкнутой цепи эмиттер(Uкбо макс), В: 1500
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В: 800
  • Максимально допустимый ток коллектора ( Iк макс.А): 5
  • Статический коэффициент передачи тока h21э мин.: 6
  • Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц: 3
  • Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
  • Корпус: top3f

Схемы импульсных блоков питания на транзисторе 2SD1710

Схемы блоков питания на транзисторе 2sd1710






Схема импульсного источника питания телевизора Funai на транзисторе 2sd1710