Транзистор 2SD1710
Рис. 1 Цоколевка транзистора 2sd1710, внешний вид.
1 - база (base); 2 - коллектор (collector); 3 - эмиттер (emitter).
Основные характеристики транзистора 2SD1710
Транзистор 2SD1710, NPN, 800В, 5А ,100Вт.
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектор и разомкнутой цепи эмиттер(Uкбо макс), В: 1500
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В: 800
- Максимально допустимый ток коллектора ( Iк макс.А): 5
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин.: 6
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц: 3
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
- Корпус: top3f
Схемы импульсных блоков питания на транзисторе 2SD1710
Схема импульсного источника питания телевизора Funai на транзисторе 2sd1710