Справочник радиолюбителя

Транзистор IRG4BC40W

Цоколевка транзистора IRG4BC40W
Рис. 1 Цоколевка транзистора irg4bc40w, внешний вид.
1 - затвор (gate); 2 - коллектор (collector); 3 - эмиттер (emitter).

Краткое описание:
N-канальный БТИЗ (IGBT) транзистор IRG4BC40W, выпускаются в корпусе типа TO220AB.

Основные характеристики транзистора IRG4BC40W

IGBT транзистор, N Канал, 600В 40А 60-150кГц.

  • Структура: N Канал
  • Максимальное напряжение кэ, В: 600
  • Максимальный ток кэ при 25°С, A: 40
  • Максимальный ток кэ при 100°С, A: 20
  • Импульсный ток, A: 160
  • Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
  • Максимальная частота переключения, кГц: 150
  • Мощность макс., Вт: 160

Datasheet - транзистор IRG4BC40W в формате pdf