IGBT транзистор CY25AAJ-8F

Цоколевка IGBT CY25AAJ-8F

Цоколевка IGBT CY25AAJ-8F

N-канальный IGBT CY25AAJ-8F для фотовспышек, основные характеристики:

  • Тип корпуса: SOP-8
  • Vces: 400 V
  • Icm: 150 A
  • Drive voltage (напряжение управления): 4 V

Максимально допустимые параметры

Parameter Symbol Ratings Unit Conditions
Collector-emitter voltage VCES 400 V VGE = 0 V
Gate-emitter voltage VGES ±6 V VCE = 0 V
Peak gate-emitter voltage VGEM ±8 V VCE = 0 V, tw = 10 s
Collector current (Pulse) ICM 150 A CM = 400 µF
Junction temperature Tj – 40 to +150 °C
Storage temperature Tstg – 40 to +150 °C



Упрощенная, типовая схема включения IGBT CY25AAJ-8F

Упрощенная схема включения транзистора igbt транзистора CY25AAJ-8F

Номинальные параметры Максимально допустимые параметры
VCM 330 V 350 V
ICP 120 A 130 A
CM 330 µF 400 µF
VGE 5 V -


Купить IGBT транзистры, запчасти для встроенных и внешних вспышек можно в интернет-магазине Времонт.su