IGBT транзистор CY25AAJ-8F
Цоколевка IGBT CY25AAJ-8F
N-канальный IGBT CY25AAJ-8F для фотовспышек, основные характеристики:
- Тип корпуса: SOP-8
- Vces: 400 V
- Icm: 150 A
- Drive voltage (напряжение управления): 4 V
Максимально допустимые параметры
| Parameter | Symbol | Ratings | Unit | Conditions |
| Collector-emitter voltage | VCES | 400 | V | VGE = 0 V |
| Gate-emitter voltage | VGES | ±6 | V | VCE = 0 V |
| Peak gate-emitter voltage | VGEM | ±8 | V | VCE = 0 V, tw = 10 s |
| Collector current (Pulse) | ICM | 150 | A | CM = 400 µF |
| Junction temperature | Tj | – 40 to +150 | °C | |
| Storage temperature | Tstg | – 40 to +150 | °C |
Упрощенная, типовая схема включения IGBT CY25AAJ-8F
| Номинальные параметры | Максимально допустимые параметры | |
| VCM | 330 V | 350 V |
| ICP | 120 A | 130 A |
| CM | 330 µF | 400 µF |
| VGE | 5 V | - |
Купить IGBT транзистры, запчасти для встроенных и внешних вспышек можно в интернет-магазине Времонт.su