Микросхема К159НТ1Г описание характеристики и цоколевка

Внешний вид транзисторной сборки К159НТ1Г и нумерация выводов
Рис. 1. Внешний вид К159НТ1Г и цоколевка

Назначение выводов микросхемы К159НТ1Г

Номер выводаназначение
1Не используется
2Коллектор 1
3База 1
4Эмиттер 1
5Не используется
6Эмиттер 2
7База 2
8Коллектор 2

Краткое описание К159НТ1Г

Микросхема К159НТ1Г является дифференциальной парой и включает в себя два идентичных по параметрам n-p-n транзисторов, размещенных в одном корпусе. Транзисторы максимально отделены друг от друга диэлектрической изоляцией. Расположение транзисторов на одном кристалле обеспечивает максимальную идентичность характеристик транзисторов, температурную стабильность, в том числе и на высоких частотах. Наиболее типичное применение такие пары транзисторов находят во входных цепях операционных усилителей, генераторов.




Преимущество микросхем К159НТ1Г

  • Малый ток утечки между транзисторами
  • Большой выбор статических коэффициентов передачи тока
  • Малые отличия статических коэффициентов передачи тока (отношение не менее 0.9)
  • Малая разность напряжений эмиттер-база (не более 3 мВ)

Подробные характеристики микросхемы К159НТ1Г

В качестве ШИМ контроллера используется микросхема IC601 типа КА3882. Ее выход управляет мощным полевым транзистором Q601 (SSH6N80), сток которого соединен с обмоткой 5-2 импульсного трансформатора Т601. На выходах выпрямителей во вторичной цепи формируется ряд напряжения 75, 53, 14,5,12, -12, 7 В для питания схемы видеоусилителей, строчной развертки, кадровой развертки, накала кинескопа. Схема имеет защиту от превышения напряжения питания, перегрузки по току и короткого замыкания. Схема поддерживает режим сохранения энергии согласно стандарту VESA: потребление в режиме Stand-by составляет 55 Вт, в режиме Suspend 15 Вт, в режиме Off 5 Вт.

  • Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА: 20...80
  • Напряжение коллектор-база, В: 20
  • Напряжение коллектор-эмиттер, В: 20
  • Напряжение эмиттер-база, В: 4
  • Ток коллектора постоянный, мА: 10
  • Рассеиваемая мощность, мВт: 50

Зарубежный аналог SA2713

Чем заменить микросхему К159НТ1Г:

В случае отсутсвия транзисторной сборки К159НТ1Г или зарубежного аналога SA2713 и возможности купить микросхемы в интернет-магазине, то в крайнем случае микросхему К159НТ1Г можно заменить двумя транзисторами КТ315Г с одинаковыми или возможно близкими параметрами (статическим коэффициентом передачи тока и начальным током коллектора).