Техническая документация на n-канальный IGBT транзистор IRG4BC40W

IGBT-транзистор, N Канал, 600В 40А 60-150кГц.

БТИЗ биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT, англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трехэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий в одном корпусе и в одной полупроводниковой структуре два транзистора: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами, igbt транзисторы используются также в фотовспышках цифровых и зеркальных фотоаппаратов, накамерных вспышках.

Транзистор IRG4BC40W - полный datasheet в формате pdf на английском языке:


IGBT транзистор IRG4BC40W основные характеристики и цоколевка

Купить транзистор irg4bc40w в нашем интернет-магазине.