Техническая документация на n-канальные МОП транзисторы IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G

МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 120 В, 0.0035 Ом, 10 В, 3 В.

МОП структура от слов "металл-оксид-полупроводник", англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно "MOSFET" — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полевые транзисторы на основе этой структуре называю МОП-транзисторами.

Транзисторы IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G - полный datasheet в формате pdf на английском языке:

➥ Скачать

МОП транзисторы IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G основные характеристики и цоколевка

Купить транзистор IPP041N12N3 в нашем интернет-магазине.