Datasheet gt8g133 - техническая документация
N-канальный кремниевый IGBT - GT8G133 производства Toshiba для встроенных вспышек цифровых и зеркальных фотоаппаратов. Имеет маркировку на корпусе 8G133.
Основные характеристики транзистора GT8G133:
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE: 400 Вольт
- Максимально допустимый ток коллектора (импульсный) ICP: 150 Ампер
- Минимальное напряжение управление VGE: 4 Вольта
IGBT GT8G133 - полный datasheet в формате pdf на английском языке:
Купить транзисторы gt8g133 для вспышки самовывозом или заказать с доставкой почтой можно в интернет-магазине in-commerce.ru